STV160NF02LA代表第二代应用特定STMicroelectronicswell建立的STripFET? 工艺基于非常独特的条带布局设计。结果MOSFET显示出无与伦比的高封装密度、超低导通电阻和优越的开关特性。工艺简化也转化为改进的制造再现性。该装置特别适用于效率至关重要的大电流、低压开关应用。

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：STripFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25℃：2.7毫欧 @ 80A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25℃：160A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：175nC @ 10V

通道数：1

漏源极电阻：1.8 mΩ

极性：N-Channel

耗散功率：210 W

漏源极电压(Vds)：20 V

漏源击穿电压：20 V

栅源击穿电压：±15.0 V

连续漏极电流(Ids)：160 A

上升时间：650 ns

输入电容(Ciss)：5500pF @15V(Vds)

下降时间：200 ns

工作温度(Max)：175 ℃

工作温度(Min)：65 ℃

耗散功率(Max)：210W (Tc)

长度：7.6 mm

宽度：9.5 mm

高度：3.65 mm

工作温度：175℃ (TJ)

功率 - 最大：210W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerSO-10
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*