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TPD2EUSB30DRTR

浏览次数:207次 更新时间:2021-09-23 16:43

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概述

TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A和TPD4EUSB30是基于2通道和4通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列。TPDXEUSB30/A器件的额定ESD冲击消散值达到了IEC61000-4-2国际标准(接触式)规定的最高水平。根据IEC61000-4-5(浪涌)规范,这类器件还可提供5A(8/20us)的峰值脉冲电流额定值。

TPD2EUSB30A具有4.5V的低直流击穿电压。凭借低电容、低击穿电压和低动态电阻,TPD2EUSB30A器件可为高速差分IO提供出色的保护。

TPD2EUSB30和TPD2EUSB30A可采用节省空间的DRT(1mm×1mm)封装:TPD4EUSB30可采用节省空间的DQA(2.5mm×1.0mm)封装。

特性

  • 支持USB3.0数据速率(5Gbps)

  • IEC 6100042ESD保护(4级接触式)

  • IEC 6100045浪滴保护

  • 5A(8/20us)

  • 低电容

  • DRT:0.7pF(典型值)

  • DQA:0.8pF(典型值)

  • 动态电阻:0.6Q(典型值)

  • 节省空间的DRT、DQA封装

  • 直通引脚映射

参数

  • 电容:0.8 pF

  • 击穿电压:9 V

  • 通道数:2

  • 针脚数:3

  • 钳位电压:8 V

  • 测试电流:1 mA

  • 脉冲峰值功率:45 W

  • 最小反向击穿电压:7 V

  • 工作温度(Max):85 ℃

  • 工作温度(Min):-40 ℃

  • 安装方式:Surface Mount

  • 引脚数:3

  • 长度:1.05 mm

  • 宽度:0.85 mm

  • 高度:0.45 mm

  • 封装:SOT-3

引脚图与功能

TPD2EUSB30DRTR引脚图

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