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首页> IC百科 > TPS1120DR

TPS1120DR

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TPS1120DR最新采购批发价格

型号 品牌 参考价格
TPS1120DR
TI/德州仪器
￥7.13

TPS1120DR中文资料规格参数

TPS1120DR概述

FET数:2
漏源电压(V):-15
持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A):-1.700
静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ):180
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):8SOIC/-40~85
描述:双路P沟道增强方式MOSFET

TPS1120DR数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
Texas Instruments
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TPS1120DR推荐供应商

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供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
深圳市三芯半导体有限公司
12000
TI/德州仪器
24+
SOP-8150MIL
百分百原厂原装现货，支持实单
深圳市雄世汇科技有限公司
270
TI/德州仪器
06+
SOP-8
原装现货假一罚十有挂就有现货
深圳市华宇骏业贸易有限公司
2334
TI/德州仪器
0614+
SOP8
只做原装现货，所有报价以当天为准
深圳
深圳市杰丰盛电子科技有限公司
5000
TI/德州仪器
24+
SOP-8
欢迎洽谈合作共赢
深圳
深圳市永发微电子科技有限公司
10000
XM
P8
23T+

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