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ULN2003ADR

浏览次数:3185次 更新时间:2021-07-20 14:28

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概述

ULN200xA 器件是高电压大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由 7 个 NPN达林顿对组成,这些达林顿对具有高压输出,带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。

单个达林顿对的集电极电流额定值为 500mA。将达林顿对并联可以提供更高的电流。应用 包括继电器驱动器、电锤驱动器、灯驱动器、显示驱动器(LED和气体放电)、线路驱动器和逻辑缓冲器。

ULN2002A 器件专门设计用于 14V 至 25V PMOS 器件。该器件的每个输入端都有一个串联的齐纳二极管和电阻,以将输入电流控制在安全范围内。ULN2003A器件的每个达林顿对都具有一个 2.7k? 的串联基极电阻,可直接与 TTL 或 5V CMOS 器件一起工作。

ULN2004A 器件具有一个 10.5k? 串联基极电阻,允许直接从使用 6V 至 15V 电源电压的 CMOS 器件进行操作。ULN2004A 器件所需的输入电流低于ULN2003A 器件的输入电流,所需电压小于 ULN2002A 器件的所需电压。


特性

  • ULN2003 的每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻,在5V 的工作电压下它能与TTL 和CMOS 电路

  • 直接相连,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。

  • ULN2003 工作电压高,工作电流大,灌电流可达500mA,并且能够在关态时承受50V 的电压,输出还

  • 可以在高负载电流并行运行。

  • ULN2003 采用DIP—16 或SOP—16 塑料封装。


参数

体管类型7 NPN 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.6V @ 500uA,350mA
电流 - 集电极截止(最大值)50uA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)-
功率 - 最大值-
频率 - 跃迁-
工作温度-20°C ~ 70°C(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装16-SOIC


引脚图与功能

1.png

工作原理

暂无ULN2003ADR的工作原理信息

替代产品

暂无ULN2003ADR的替代产品信息

PDF资料

厂商 PDF简要描述 下载
TI ULN2003ADR是双列16脚封装,NPN晶体管驱动器芯片。芯片内部资源丰富,由七个硅NPN 达林顿管和一个消线圈反电动势二极管组成,可用以驱动继电器。 PDF

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