UMZ1NT1G概述
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 阵列
系列:-
晶体管类型:NPN, PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大):2µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA, 6V
功率 - 最大:250mW
频率 - 转换:114MHz, 142MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70-6,SC-88,SOT-363
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:SC-88
其它名称:UMZ1NT1GOSUMZ1NT1GOS-NDUMZ1NT1GOSTR