产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：Single
晶体管极性：N-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.24Ohms
汲极/源极击穿电压：20V
闸/源击穿电压：+/-12V
漏极连续电流：1.7A
功率耗散：625mW
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOT-23
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000

N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.45~1Vth(V)；SOT23

应用简介：

ZXM61N02FTA-VB是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种电子应用领域。它具有低阻态导通电阻、低阈值电压和高额定电压，适用于需要高效能耗控制的应用。以下是一些可能的应用领域：

1. 电源管理：ZXM61N02FTA-VB可用于电源开关、稳压器和电源管理电路，以提供高效的电能控制和稳定的电压输出。

2. 电机控制：它可以用于电机驱动器，例如直流电机控制、步进电机控制和电机保护电路。

3. 车辆电子：在汽车和其他交通工具中，这种MOSFET可以用于照明控制、电池管理、电动机控制等应用。

4. 通信设备：适用于通信设备的电源开关和信号调理，如手机、路由器和无线设备。

5. 电子设备：可用于各种便携式和嵌入式电子设备中，包括笔记本电脑、平板电脑、数字相机和消费电子产品。

总之，ZXM61N02FTA-VB MOSFET适用于广泛的电子应用领域，其中需要高性能的电能控制和电流开关。这种组件有助于提高系统效率和可靠性，降低能源浪费，因此在多种领域的模块和电路中有广泛的应用。