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ZXM62N02E6TA

浏览次数:382次

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ZXM62N02E6TA中文资料规格参数

ZXM62N02E6TA概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 2.2A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.2A
Id 时的 Vgs(th)(最大):700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:6.3nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :460pF @ 15V
功率 - 最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-6
包装:Digi-Reel®
供应商设备封装:*
其它名称:ZXM62N02E6DKR

ZXM62N02E6TA数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
Diodes Incorporated
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
6400
DIODES/美台
2024+PB
SOT26
量多电话为准--可拆样品
深圳
65328
DIODES/美台
2023
SOT23-6
自己库存可售样品可大量供货
深圳
120622
DIODES/美台
24+
SOT23-6
原装现货/支持实单/可出样
深圳
3000
DIODES/美台
25+
TSOP-6
原装正品现货支持实单
深圳
42000
ZETEX
24+
SOT23-6
优势产品原装现货

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