瑞萨电子公司宣布推出三个新的超级结金属氧化物半导体场效应晶体管（超级结MOSFET）具有图的优点：适合高通态电阻X选一个600 V功率半导体器件的变化速电机驱动器，DC-DC变换器，DC-AC逆变器的应用。

此前，空调等家电产品，采用高电压，高转速电机和变频器通常采用IGBT s的离散快速恢复二极管（FRD），在一个包中，使短的反向恢复时间（trr）。现在，需要更高的开关速度，甚至更低的损耗，运行稳定，性能需要加上生成的超级结MOSFET s的快速恢复体二极管的特性需求。不同于传统的平面结构，超级结MOSFET小号启用的导通电阻下降而不降低设备的电压容差，从而有可能产生MOSFET的 s的一个单位面积的导通电阻低。为了满足不断增长的需要为这些设备作为行业走向一个更具能源意识的角度来看，瑞萨已利用其积累的专业技术，在功率器件技术开发一系列新的高性能超级结MOSFET s的高速体二极管，低损耗和改进的高速开关性能。