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NTS2101PT1G的功能特点与应用

来源:华强电子网 作者:weishao 浏览:142

关键词: 电源 电池 手机 驱动 负载开关

NTS2101PT1G是一款P沟道功率MOSFET,提供-8V漏源电压和-1.4A连续漏极电流。它适用于高端负载开关,充电电路,单体电池应用,如手机,数码相机和PDA。

NTS2101PT1G是一款P沟道功率MOSFET,提供-8V漏源电压和-1.4A连续漏极电流。它适用于高端负载开关,充电电路,单体电池应用,如手机,数码相机和PDA。

NTS2101PT1G样图

一、NTS2101PT1G的功能特点

1. 领先的Trench技术可实现低RDS(ON),延长电池寿命

2. -1.8V额定用于低压栅极驱动

3. 表面贴装,占地面积小(2 x 2mm)

4. -55至150°C工作结温范围

二、NTS2101PT1G的应用范围

电源管理,便携式设备,工业


型号 厂商 价格
KX022-1020 ROHM 1.63
T204010220... TE 14.8547
T204006210... TE 13.5837
360042-1 TE 0.3475
1-480698-0 TE 0.1723
350218-1 TE 0.0606
173724-1 TE 0.0576
5-103635-4 TE 1.3405
1-480699-0 TE 0.1798
350536-1 TE 0.0645
型号/产品名 平均报价 涨跌幅
STM8S003F3P6 1.55 1.12%
74HC573D 0.64 2.86%
2N7002 3.66 400.00%
STM32F103C8T6 7.47 27.87%
1N4007 1.58 0.00%
ADM2483BRWZ 8.90 3.21%
SHT10 16.21 5.88%
STM32F103RCT6 12.56 24.44%
78L05 10.55 66.67%
LM358 118206.75 16.67%
  • PW338C-30 270 件

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  • TP2825 300 件

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  • F1C100A 1800 件

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  • TP2910 490 件

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  • U310 24 件

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