光电耦合器结构是以光为媒介，用来进行传输一个电信号的器件。通常，光接收器的发光器件和光电半导体管封装在同一管壳内。 当输入端加入电信号时，发光装置发出光，光接收装置接收光产生光电流，光电流从输出端引出。

由于我国光电耦合器具有抗干扰能力强、使用寿命长、传输工作效率提高高等教育特点，广泛可以用于电气隔离、电平转换、级间耦合、开关控制电路、脉冲放大、固态继电器、仪器仪表和微型企业计算机网络接口设计电路中。

结构及其工作过程

光耦由发光二极管和光控光敏晶体管（通常是光敏晶体管)组成）。 常见的光耦形状有管型，双柱直接插入型等，与集成电路类似，更多的应用是双柱直接插入型。

光电耦合器的工作发展过程进行如下：光敏三极管的导通与截止，是由发光检测二极管所加正向影响电压质量控制的。 当发光二极管加入正向电压时，发光二极管因电流通过而导通，降低了光敏三极管的内阻；反之，当发光二极管不加入正电压或正电压很小时，通过发光二极管的电流很小，发光强度减弱，光敏三极管的内阻增大而结束。

光电耦合器的种类很多，主要有通用型(又分有基极引线、无基极引线两种)、达林顿型、施密特型、高速型、光纤型、光敏晶闸管型(又分单向晶闸管、双向晶闸管)、光敏场效应管型等。

性能检测

(1)静态检测

由于我国光电耦合器中的发射管与接收管是互相进行独立的，因此我们可用万用表可以单独分析检测这两部分的好坏。测试可以分三步进行。

第一步：利用 R × 100(或 R × 1k)挡测量光发射二极管的正、反向电阻，检测其单向导电性。发光二极管具有典型二极管的单向导电特性，即小的正向电阻和大的反向电阻。通常具有正向影响电阻为几百欧，反向进行电阻为几千欧或几十千欧。如果测试结果阳性和阴性电阻是非常接近的发光二极管指示表现不佳或损坏。检测时，要注意只能使用万用表的R×10、R×100或R×1k挡，不能使用R×10k挡，因为发光二极管工作电压一般在1.5～2.3V，万用表R×10k挡电池电压为9～15V，会导致发光二极管击穿。

第二步：检测光接收管的集电结与发射结的正、反向影响电阻。将万用表量程开关拨在10×1k挡，黑表笔接c极，红表笔接e极，指针应微动;对调两表笔再测，指针应不动。换言之，不论正和负测量的电阻应为无穷大，否则光电晶体管的损坏。

第三步：用R × 10k 挡检测光发射管与光接收管之间的绝缘电阻。用万用表的R × 10k 挡检测其初、次级之间的绝缘电阻值，应测量两次(即两表笔对调一次)。光电隔离器初、次级绝缘电阻应为∞。发光二极管或光电晶体管只要有损坏，或它们之间的绝缘不良，仅光耦合器不工作。

(2)性能测量

检测电路如下图所示，耦合器的发光二极管两输入端接入两节 1.5V 的电池，二极管正端接电池正极，负端接电池负极，R 为限流电阻。挡测光敏三极管正向电阻值，应为10～30Ω，反向电阻值为∞，说明耦合器性能良好。如果上述值从测量的值远时，表示性能差或损坏耦合器。

因为不同的引脚，所述发光二极管连接的操作电压应该是不同的，当不同类型的检测器的光电耦合器使用上述的方法。因此，当测试应该先找出其内部电路根据一个输入端和一个输出脚，然后将对应的字符串是限流电阻器R到其中的发光二极管，根据工作电压，则晶体管计量闵? ，极电极E的正，负电阻之间。