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三星公司将量产8 GBNAND闪存器件

来源:<a href='http://bbs.hqew.com/viewthread.php?tid=266947' target='_blank'>luzhongguo</a> 作者:华仔 浏览:482

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摘要: 韩国三星公司加大了市场的投入,日前声称,该公司将采用60纳米工艺来量产8GB的NAND闪存。据一位分析师说,这种高密度多单元(MLC)的存储器早在上个季度就应该推出。8GB的NAND闪存是由2个4-Gbit的管芯垂直堆嵌。三星公司量产8GB的NAND闪存可使三星为市场提供8GB的解决方案。该方案可以存储2000个MP3文件或225分钟的DVD质量的影视文件。预计该产品将在06年3季度上市。三星公司计划将其8GBNAND闪存芯片应用在MLCNAND技术中,这种技术被

韩国三星公司加大了市场的投入,日前声称,该公司将采用60纳米工艺来量产8GB的NAND闪存。

据一位分析师说,这种高密度多单元(MLC)的存储器早在上个季度就应该推出。

8GB的NAND闪存是由2个4-Gbit的管芯垂直堆嵌。三星公司量产8GB的NAND闪存可使三星为市场提供8GB的解决方案。该方案可以存储2000个MP3文件或225分钟的DVD质量的影视文件。预计该产品将在06年3季度上市。

三星公司计划将其8GB NAND闪存芯片应用在MLC NAND技术中,这种技术被称为moviNAND,它可提供2-GB的解决方案。

三星公司采用60纳米新技术较以前的70纳米技术可提高生产率25%。
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67