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三星公司将量产8 GBNAND闪存器件

来源:<a href='http://bbs.hqew.com/viewthread.php?tid=266947' target='_blank'>luzhongguo</a> 作者:华仔 浏览:392

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摘要: 韩国三星公司加大了市场的投入,日前声称,该公司将采用60纳米工艺来量产8GB的NAND闪存。据一位分析师说,这种高密度多单元(MLC)的存储器早在上个季度就应该推出。8GB的NAND闪存是由2个4-Gbit的管芯垂直堆嵌。三星公司量产8GB的NAND闪存可使三星为市场提供8GB的解决方案。该方案可以存储2000个MP3文件或225分钟的DVD质量的影视文件。预计该产品将在06年3季度上市。三星公司计划将其8GBNAND闪存芯片应用在MLCNAND技术中,这种技术被

韩国三星公司加大了市场的投入,日前声称,该公司将采用60纳米工艺来量产8GB的NAND闪存。

据一位分析师说,这种高密度多单元(MLC)的存储器早在上个季度就应该推出。

8GB的NAND闪存是由2个4-Gbit的管芯垂直堆嵌。三星公司量产8GB的NAND闪存可使三星为市场提供8GB的解决方案。该方案可以存储2000个MP3文件或225分钟的DVD质量的影视文件。预计该产品将在06年3季度上市。

三星公司计划将其8GB NAND闪存芯片应用在MLC NAND技术中,这种技术被称为moviNAND,它可提供2-GB的解决方案。

三星公司采用60纳米新技术较以前的70纳米技术可提高生产率25%。
型号 厂商 价格
SI2306 HOTTECH 0.10
SI2301 HOTTECH 0.08
2N7002 NEXPERIA 0.07
BAT54S NEXPERIA 0.06
6N137 亿光 1.70
TL431 HOTTECH 0.05
LM358DR TI 0.40
CJ2306 S6 长电 0.20
74HC595D NXP 0.33
ULN2003ADR TI 0.75
型号/产品名 平均报价 涨跌幅
STM8S003F3P6 1.55 1.12%
74HC573D 0.64 2.86%
2N7002 3.66 400.00%
STM32F103C8T6 7.47 27.87%
1N4007 1.58 0.00%
ADM2483BRWZ 8.90 3.21%
SHT10 16.21 5.88%
STM32F103RCT6 12.56 24.44%
78L05 10.55 66.67%
LM358 118206.75 16.67%
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