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TI推出面向高密度开关电源设计的紧凑型高速单通道栅极驱动器

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摘要: 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器,其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等宽带隙半导体的开关损耗。 该 UCC27511 与 UCC27517 驱动器是 TI 最新 UCC2751x 系列的新成员,可有效取代使用双极型晶体管的分立式栅极驱动电路,显著提高离线隔

日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器,其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等宽带隙半导体的开关损耗。

该 UCC27511 与 UCC27517 驱动器是 TI 最新 UCC2751x 系列的新成员,可有效取代使用双极型晶体管的分立式栅极驱动电路,显著提高离线隔离式电源、电信模块、空调系统、UPS 以及便携式电动工具等应用的效率、可靠性以及电源密度。样片与 PSpice 瞬态模型,敬请访问:www、ti、com、cn/product/cn/ucc27511、

UCC27511 与 UCC27517 的重要技术特性:

·高电流驱动性能提高可靠性:UCC27511 支持高达 4 A 源极/8 A 汲极的驱动电流性能,而 UCC27517 则支持 4 A 源极/汲极峰值电流脉冲;

·最快的开关速度:这两款驱动器都支持 13 纳秒 (ns) 快速典型传播延迟以及 9 ns/7 ns 升降时间,可实现极低的脉冲失真;

·最小的开关损耗:0.375 欧姆(UCC27517 为 0.5 欧姆)下拉电阻不但可在电源开关转换通过 Miller Plateau 时最大限度减少开关损耗,而且还可在 Miller 接通时提高抗扰度;

·高度的设计灵活性:支持 4.5 V 至 18 V 宽泛工作电压,并可在 -40C 至 140C 温度下确保电气参数。独立于 VDD 的最大输入电压可简化偏置电源架构。

供货情况

采用 6 引脚 SOT-23 封装的 UCC27511 与采用 5 引脚 SOT-23 封装的 UCC27517 都已开始供货。TI 计划将于今年第 2 季度推出采用 3 毫米 x 3 毫米、6 引脚 WSON 封装并具有不同 CMOS 输入阈值的其它单通道栅极驱动器。

查阅有关 TI MOSFET 栅极驱动器及电源控制器产品系列的更多详情:

·最新 UCC27xxx 驱动器可对 UCC28250、UCC28950、LM5045、LM5046 以及 LM5035 等 TI 领先 PWM 控制器形成有力互补;

·查看其它 GaN FET 驱动器产品:100 V LM5113 与 LM5114;

·下载最新 Power Stage Designer™ 开关模式电源拓扑工具;

·通过 TI在线技术支持社区咨询问题,并帮助解决技术难题:www、deyisupport、com、

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
型号/产品名 平均报价 涨跌幅
STM8S003F3P6 1.55 1.12%
74HC573D 0.64 2.86%
2N7002 3.66 400.00%
STM32F103C8T6 7.47 27.87%
1N4007 1.58 0.00%
ADM2483BRWZ 8.90 3.21%
SHT10 16.21 5.88%
STM32F103RCT6 12.56 24.44%
78L05 10.55 66.67%
LM358 118206.75 16.67%