联发科推出首款5G毫米波芯片天玑1050/AMD将发布全球首款5nm台式机CPU/OPPO Reno8系列正式发布
1、联发科推出首款5G毫米波芯片天玑1050
联发科23日宣布推出其首款支持毫米波的移动平台天玑1050，搭载该款芯片的智能手机将于2022年第三季度上市。
据悉，天玑1050采用台积电6nm制程生产，搭载8核心CPU，包含两个主频2.5GHz的Arm Cortex-A78大核，GPU采用ArmMali-G610，兼顾性能与能效表现。
天玑1050支持sub-6 (FR1) 频谱上的3CC载波聚合和毫米波 (FR2) 频谱上的4CC载波聚合，与单独的 LTE + mmWave 聚合相比，它将能够为智能手机提供高达53%的速度和更大的覆盖范围。
除了5G优化之外，天玑1050还提供 Wi-Fi 优化以及联发科的HyperEngine 5.0 游戏技术，以确保与新的三频（2.4GHz、5GHz 和 6GHz）的低延迟连接，从而延长游戏时间和性能。此外，高端UFS 3.1存储和LPDDR5内存确保超快速数据流，以加速应用程序、社交信息流和更快的游戏 FPS。
2、华为将展示新型3D DRAM成果
5月23日消息，华为此前发布了一篇介绍存储器的文章——《华为麒麟带你一图看懂存储器》。在文章最后华为表示，随着芯片尺寸的不断微缩，DRAM工艺的微缩变得越来越困难，平面DRAM的“摩尔定律”正在逐渐走向极限，当今各大厂商都在研究3D DRAM作为解决方案来延续DRAM的使用。
多个日本媒体表示，华为将在VLSI Symposium 2022（6月12日～17日在夏威夷举行）上发表其与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术，进行各种有关内存的演示。
报道称，华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧IGZO-FET（由In、Ga、Zn、O组成的透明氧化物）材料的CAA（Channel-All-Around）构型晶体管3D DRAM技术，具有出色的温度稳定性和可靠性。
3、AMD将发布全球首款5nm台式机CPU
5月23日消息，基于5nm Zen 4架构的AMD锐龙7000“Raphael”系列台式机CPU将在明天的Computex 2022上发布，还有采用AM5接口的下一代X670E、X670和B650平台。
AMD Ryzen 7000系列将会是全球首款5nm台式机CPU，双Zen 4芯片，最高达16核，二级缓存翻倍，还有RDNA 2 GPU加持，将于今年秋季发售。
4、博通就收购VMware进行深入谈判
5月23日讯，博通正在谈判收购云计算公司VMware。据知情人士透露，芯片制造商博通(Broadcom Inc.)正在就收购云计算公司VMware Inc.进行谈判，这很有可能成为今年以来的最大规模收购交易之一，将使这家芯片制造商进入一个高度专业化的软件领域。
VMware目前的市值约为400亿美元（约合人民币2600亿元）。如果按一般溢价计算，潜在的交易价格会更高，不过目前尚不清楚具体条款。
上述知情人士说，谈判仍在进行中，不能保证最终会达成收购。
博通最近一段时间以来一直在寻求大型软件收购来推动其发展。首席执行官霍克·谭(Hock Tan)近年来开始了一连串的收购，其目标是建立芯片行业中规模最大和最多样化的公司，该公司最近的收购交易包括2019年收购赛门铁克赛门铁克公司的企业安全业务，以及在2018年收购CA Technologies。
5、OPPO Reno8系列正式发布
5月23日，OPPO正式发布双芯人像科技OPPO Reno8系列，本次OPPO Reno8系列在设计、影像、体验方面进行全面升级，Reno8 Pro及Reno8 Pro+更是搭载OPPO自研马里亚纳? MariSilicon X芯片。
售价方面，OPPO Reno8 Pro+的8GB+256GB版本为3699元，12GB+256GB版本为3999元；Reno8 Pro的8GB+128GB版本售价为2999元，8GB+256GB版本售价为3199元，12GB+256GB版本售价为3499元；Reno8的8GB+128GB版本售价为2499元，8GB+256GB版本售价为2699元，12GB+256GB版本售价为2999元。
6、华为将展示新型3D DRAM成果
5月23日消息，华为此前发布了一篇介绍存储器的文章——《华为麒麟带你一图看懂存储器》。在文章最后华为表示，随着芯片尺寸的不断微缩，DRAM工艺的微缩变得越来越困难，平面DRAM的“摩尔定律”正在逐渐走向极限，当今各大厂商都在研究3D DRAM作为解决方案来延续DRAM的使用。
多个日本媒体表示，华为将在VLSI Symposium 2022（6月12日～17日在夏威夷举行）上发表其与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术，进行各种有关内存的演示。
报道称，华为与中科院方面开发了基于铟镓锌氧IGZO-FET（由In、Ga、Zn、O组成的透明氧化物）材料的CAA（Channel-All-Around）构型晶体管3D DRAM技术，具有出色的温度稳定性和可靠性。
