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纳芯微推出传感器芯片NSM203x系列/华为海思智能手机AP库存已耗尽/瑞萨电子北京工厂重启生产

来源:华强电子网 作者:NV 浏览:119

标签: 手机 传感器

摘要: 纳芯微推出传感器芯片NSM203x系列/华为海思智能手机AP库存已耗尽/瑞萨电子北京工厂重启生产

纳芯微推出传感器芯片NSM203x系列/华为海思智能手机AP库存已耗尽/瑞萨电子北京工厂重启生产


1、纳芯微推出传感器芯片NSM203x系列


近日,纳芯微 (NOVOSENSE) 推出全新NSM203x系列线性霍尔效应电流传感器芯片,为基于聚磁环的大量程电流检测提供高精度的解决方案,可被广泛应用于电动汽车电驱系统的相电流检测、工业系统中例如工业电机控制和光伏逆变器等电流模块的大电流检测。


纳芯微推出传感器芯片NSM203x系列


据悉,该产品系列可以全面覆盖各个应用场景下的不同系统需求。各产品类型均有车规和工规型号,其中车规级别产品满足AEC-Q100 Grade 0的可靠性要求,可在-40~150℃的严苛环境下胜任工作。


2、京东方A:今年柔性OLED或出货8000万片


京东方A在接受调研时表示,2022年公司柔性OLED预计出货量目标为8000万片,较去年继续保持增长。未来公司将持续提升柔性OLED产品的出货量,着力提高高端旗舰产品的出货比重,以持续改善柔性OLED业务经营情况。


3、华为海思智能手机AP库存已耗尽


近日市场研究机构Counterpoint Research公布了2023年三季度全球智能手机AP市场报告,从出货量来看,联发科仍位居第一,但市场份额降至了35%。排名第二的高通的市场份额则上升到了31%。之后的三到五名分别为苹果、展锐和三星。原本在一季度的还有1%份额的华为海思,在二季度降至0.4%之后,三季度已经几乎为零。


华为海思智能手机AP库存已耗尽


4、应用材料宣布“冷场发射”电子束成像技术商用


12月20日消息,应用材料近日宣布,其开发“冷场发射”(cold field emission,CFE)技术已实现商用化。据介绍,该突破性电子束(eBeam) 成像技术可协助芯片制造商更好地检测与成像出纳米级埋藏的缺陷,以加快新一代全环绕栅极闸(Gate-All-Around,GAA) 逻辑芯片,以及更高密度的DRAM 和3D NAND存储芯片的开发和制造。


据了解,电子束技术常用来识别和描述那些用光学系统无法看到的小缺陷。然而,随着芯片制造商运用EUV 光刻技术来突破2D 逻辑和DRAM 微缩的极限,并逐渐导入GAA 逻辑晶体管和3D NAND等复杂的3D 架构,找出表面和埋藏的缺陷的工作将变得越来越具挑战性。


5、瑞萨电子北京工厂重启生产


瑞萨电子日前表示已于20日,对其在北京的工厂重启生产,该工厂上周五因疫情原因关闭。瑞萨电子表示正在用现有库存弥补产量损失,预计停产不会造成太大影响。


瑞萨电子北京工厂重启生产


据了解,瑞萨位于北京的工厂拥有约1000名员工,主要从事家用电器、工业设备和汽车用半导体的生产,这些半导体出口至日本和其他国家/地区。


6、蔚来部分用户数据遭窃取


12月20日,蔚来首席信息安全科学家、信息安全委员会负责人卢龙在蔚来官方社区发布公告,声称有不法人士在网上出售蔚来相关数据。公告显示,2022年12月11日,蔚来公司收到外部邮件,声称拥有蔚来内部数据,并以泄露数据勒索225万美元(约合1570.5万元人民币)等额比特币。在收到勒索邮件后,公司当天即成立专项小组进行调查与应对,并第一时间向有关监管部门报告此事件。


经初步调查,被窃取数据为2021年8月之前的部分用户基本信息和车辆销售信息。蔚来表示将协同有关执法部门深入调查此次事件,并依法坚决打击相关的数据窃取、买卖行为。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67