根据市场变化。具体价格请咨询。 联系电话： 0755-83528936 联系手机： 13417420601 薛小姐 联系QQ：10820737 实体店地址： 1 深圳市华强北路华强电子世界2号楼1层20A374 2 深圳市华强北路华强广场1层Q1A205 3 深圳市华强北路赛格电子广场1A097 “动力星”DRT803/301A IGBT驱动变压器 DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBT和MOSFET而专门研制的最新产品，以非晶合金和纳米晶合金作为磁芯，可满足多项应用要求。 一．产品特点： ①耦合电容低，使之具有很高的抗干扰能力； ②漏感小，保证了更好的输出脉冲波形； ③无开关延时、瞬时传输功率高； ④抗电强度高，安全可靠； ⑤全封闭，机械和耐环境性能好； ⑥体积小巧，结构紧凑，外形美观，针脚穿孔式安装，使用方便。 二．使用条件： ①环境温度：-40℃~+85℃ ②相对湿度：温度为40℃时不大于90% ③大气压力：860~1060mbar（约为650~800mmHg） 三．绝缘耐热等级：F级（155℃） 四．安全特性： ①绝缘电阻：常态时大于1000MΩ ②阻燃性：符合UL94-V0级 五．各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要技术参数（典型值） ① 各参数的意义： u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。 VP—各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值，持续时间60s。 ∫udt—额定伏微秒积≈V1·tn（在一定频率范围内其值基本不变）。 V1—输入脉冲幅度（初级脉冲电压）。 tn—在相应的V1和FP下驱动变压器的额定传输脉宽。 V2—输出脉冲幅度（次级脉冲幅度）。 RL—IGBT模块或MOSFET控制级等效电阻。 LP—线圈初级电感量 f=1000Hz V=0.3V LS—漏感（将次级绕组短路后测量）f=1000Hz V=1V CK—分布电容 f=1000Hz V=1V ② 外形图、安装尺寸、线圈图及主要技术参数

额定功率: 频率特性: 铁芯形状: 防潮方式: 冷却方式: 冷却形式: 结构型式: 外形尺寸: 用途: 导线类型: 安全认证类型: