摘要： 法国CEA-LETI公司、法国萨瓦大学（Universite de Savoie）及意法半导体（STMicroelectronics）共同分析了在带有65nm工艺CMOS电路的硅晶圆上形成TSV（硅贯通孔）时，TSV对CMOS电路特性的影响。以利用单一MOSFET以及101个逆变器电路构成的环形振荡器电路为对象，调查了形成TSV时所带来的热机械性（Thermo-Mechanical）影响和电气性影