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Analog Devices开发出新型封装技术 面向MEMS元件晶圆级低成本封装

来源:-- 作者:-- 浏览:343

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摘要: 据日经BP社报道,美国模拟器件(Analog Devices)开发出了利用铝-铝结合的新型封装技术。该技术可用于面向MEMS元件的晶圆级低成本封装,以及三维元件的层叠。   模拟器件计划在2009年使该技术达到实用水平。该公司拥有在加速度传感器和角速度传感器等MEMS元件方面的量产业绩,并将应用范围从最初的汽车扩大到了消费类产品。近来,模拟器件还将加速度传感器配备于任天堂的游戏机“Wii”中,对该


  据日经BP社报道,美国模拟器件(Analog Devices)开发出了利用铝-铝结合的新型封装技术。该技术可用于面向MEMS元件的晶圆级低成本封装,以及三维元件的层叠。
  模拟器件计划在2009年使该技术达到实用水平。该公司拥有在加速度传感器和角速度传感器等MEMS元件方面的量产业绩,并将应用范围从最初的汽车扩大到了消费类产品。近来,模拟器件还将加速度传感器配备于任天堂的游戏机“Wii”中,对该公司来说,确保在低价位市场上的竞争力正越来越重要。此次的封装技术,将有望为这些MEMS元件的低成本化做出较大贡献。
  此次的封装技术,利用了铝合金之间的结合。事先用铝将晶圆MEMS元件的周围密封,然后再覆盖上同样密封有铝的硅盖层。然后将其置于450℃的温度中,施加数十kN的压力后使其结合。另外,铝中采用了混合有2%铜的合金。铝的密封处宽数μm、厚数μm。
  铝在没有间隙的紧贴状态下相互结合,即可完成气密(Hermetic)封装。采用实际元件进行的试验也证实可实现气密封装。然后,在内部密闭氦气的状态下,测定气体泄露情况并进行验证。原来将结合处的铝宽度设定为3μm时,气体泄露速度为10-12cm3 atm/秒。不管封装内部的气压状态是低压还是高压,均可获得长期可靠性。结合处的电阻值小于1Ω。


                      来源:SEMI
型号 厂商 价格
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