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SiC衬底材料获得突破 美国Cree的无微管100mm碳化硅衬底开始供货

来源:-- 作者:-- 浏览:1115

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摘要: 据日经BP社报道,在ICSCRM 2007(2007碳化硅及其相关材料国际会议)上,众多与会者异口同声地赞叹碳化硅衬底厂商巨头美国Cree发布的新成果。Cree已开始供应无微管(中空贯通缺陷)的直径为100mm(4英寸)的SiC衬底。由于元件厂商的大部分生产线支持直径100mm以上的晶圆,所以直径100mm以上的高品质碳化硅衬底备受期待。   Cree开始供应的是n型4H-SiC衬底。强调实现了


  据日经BP社报道,在ICSCRM 2007(2007碳化硅及其相关材料国际会议)上,众多与会者异口同声地赞叹碳化硅衬底厂商巨头美国Cree发布的新成果。Cree已开始供应无微管(中空贯通缺陷)的直径为100mm(4英寸)的SiC衬底。由于元件厂商的大部分生产线支持直径100mm以上的晶圆,所以直径100mm以上的高品质碳化硅衬底备受期待。
  Cree开始供应的是n型4H-SiC衬底。强调实现了“无微管”,微管的存在密度为平均0.7个/cm2,最好数据为0.06个/cm2。存在密度为0.7个/cm2时,相当于制作芯片面积为1cm2见方的大电流驱动元件时,能够确保65%成品率。与众多碳化硅元件技术人员所说的“还没有进入讨论成品率的阶段”的情况相比,Cree可谓取得了巨大的进展。
  更让与会者惊讶的是,该公司已经将“下一个开发课题”的削减位错缺陷提高到了相当高的水准。对于引起元件成品率下降的“贯通螺旋位错缺陷(threading screw dislocation)”,在3英寸(直径76mm)晶圆的情况下,被平均削减到375个/cm2,最好数据可达175个/cm2。这意味着在生产耐压10kV级别的碳化硅二极管时,具有61.5%成品率。


                      来源:SEMI
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