飞思卡尔半导体日前推出一款rf ldmos功率管，工作频率为1.8至600 mhz ，最适于在co2激光器、等离子体发生器和磁共振成像（mri）扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新mrfe6vp6300h fet是世界首款50v ldmos晶体管，在电压驻波比（vswr）为65:1的负载中提供 ;300 w cw的全额定输出功率。当射频功率管生成的最大功率到达天线时，所有固态射频功率放大器的运行最有效。在理想条件下，这会产生1:1的vswr，生成的全部额定功率都通过传输线到达负载，没有任何额定功率反射回放大器。大部分应用的vswr水平很少超过2.5:1，而大部分rf功率管无论其采取什么技术，都可以处理5:1或10:1的vswr。但是，rf功率放大器用来点燃co2 激光器和离子发生器或在mri系统里生成电磁场，都会短暂出现生成的额定功率几乎全部被反射回放大器的情况。这些异常情况给大部分rf功率管带来了难题。飞思卡尔新推出的mrfe6vp6300h产品主要针对这类应用，能够将300w满cw输出功率生成高达 65:1的vswr。它是这个性能级别里唯一商用的50 v ldmos晶体管产品。mrfe6vp6300h可用于推拉式或单端配置，并放置在紧凑型ni780 - 4陶瓷封装中。频率为130兆赫时，该设备生成300w的cw输出功率，增益为25分贝，效率达80%。该mrfe6vp6300h还包含创新的静电放电（esd）保护技术，这不仅使它成为第三类功率器件，还支持大的栅源电压范围（-6v至+10 v），因而在高效模式（如c类）下运行时能提高性能。定价和供货情况mrfe6vp6300h现已推出样品，计划将于2010年第四季度全面投产。它的参考设计及其他支持工具现已上市。如需了解样品和定价信息，请与飞思卡尔半导体、飞思卡尔本地销售办事处或授权分销商联系。