2010年8月17日， 北京讯
　　美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特尔公司 (Intel Corporation)今天联合推出25纳米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc) NAND 闪存卡和NAND 闪存公司IM Flash Technologies（简称 IMFT） 所开发的这项 64Gb（或8GB）25nm 光刻技术，可提供每单位3比特的信息容量，而传统技术只能提供1比特（单层存储单元）或2比特（多层存储单元）。业内也将3bpc称为三层存储单元（triple-level cell, 简称 TLC）。
　
　　该设备的尺寸与美光和英特尔容量相同的 25nm MLC（多层存储单元）相比，体积要小20%以上，是目前市场上最小的单个 8GB 设备。从产品固有的紧凑型设计上看，小尺寸闪存对消费终端产品闪存卡显得尤为重要。芯片面积为131平方毫米，符合行业标准 TSOP（薄型小尺寸封装）封装。
　
　　美光 闪存对www、micronblogs、com
　　•美光 Twitter 页面：www、intel、com/design/flash/nand
　　•英特尔 博客：blogs、intel、com
　　•英特尔 Twitter页面：www、intel、com/pressroom 和 www、micron、com。
　
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