电子元器件
采购信息平台
- IC/元器件
- 国产IC
- 商家点评
- 求购
- 商城
搜商城
扫码下载
手机洽洽
-
微信小程序
让找料更便捷
-
-
华强电子网公众号
电子元器件
采购信息平台
-
华强电子网移动端
生意随身带
随时随地找货
-
华强商城公众号
一站式电子元器件
采购平台
-
芯八哥公众号
半导体行业观察第一站
宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 13日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷与导通电阻的乘积低至26.64Ω-nC，该数值是描述用于功率转换应用中www、vishay、com。
