另一方面，图a电路允许用低电平脉冲触发向负载提供恒定电流；另一方面，它可以用作锁闭电流吸收器。图中TR1和TR3连接成“伪SCR”配置。当输入端为低电平时，所有三极管通常关闭。施加一个幅度足够高的的脉冲Vp，使三极管TR3导通。这也使TR1导通，并给TR3带来额外的基极电流。现在电路被锁定，当输入端返回低电平时，TR1、TR3仍然保持“开”状态。

然而，它不同于传统的SCR，增加的三极管TR2，通过电流感应电阻R5和TR2的基极-发射极电压VVE2来限制TR3的发射极电流。假设TR3的hFE(正向电流传输率)很大,则：

  IC3≌IE3=VVE2/R5

如果TR1也有很大的hFE，那么实际上IC3全部流过LED1。LED有两个作用，除了指示电路被锁定外，它也给为TR1基极提供恒定参考电压。因此，不管电源电压(VS)有多大变化，R3两端电压只比LED1正向电压(VF)小VBE ,并保持恒定。

因此，TR1组成SCR结构的一部分，并充当恒流源。假如TR1有很大的hFE，则它的集电极电流近似为：

IC1≌IE1=(VF-VBE1)/R3

应该选择适当的R3值来保证IC1满足TR3的基极电流要求，并补充由TR2、R1(或下面提到的R2)分流的电流。流过负载的总电流ISINK为：

ISINK≌IE1+IC3=[(VF-VBE1)/R3]+(VVE2/R5)

因为所有这些参数在给定温度下是一个常量，即使VS有相当大的变化，吸收电流仍保持不变。对原型电路(R3=2.2kΩ,R5=62Ω，LED1采用HLMP-1000(3毫米，红光)进行测试，当VS=5V时，吸收电流为10.01mA。当VS=35V时，电流增加到10.05mA，相当于VS增加600%而ISINK 仅增加0.4%。

只要输入端为0，就不需要R2。然而，如果输入端悬空，则必须用R2来减小TR3基极的噪声。R4给TR1基极提供相同功能，同时用来减小LED1产生的光电压。否则，在亮光照射下，该光电压会锁闭电路。某些LED在光照足够强时会产生很大的光电压。

对原型电路的测试中，LED1采用HLMP-1503(3毫米，绿光)。试验证明：如果LED处于强光照射下，则该电路可以作为一个锁定光探测器。但是在LED两端并联一个100kΩ电阻(R4)效果就会完全消失。将LED与光源隔离，结果自然也类似。

由于大部分吸收电流流经LED1,电路的电流被限制在小于或大约为50mA。但如果使用其它电压参考来替代LED,比如低电压齐纳二极管或者两个串联二极管则可以增大电流。这样，ISINK 仅仅受限于二极管和TR3的额定电流。

一旦电路锁定，可以通过重新上电或将TR3的基极短接到0V来复位电路。当LED1使用HLMP-1000(此时VF≌1.6 V)，电路本身(减去负载)的工作电压低至大约3V。