ROHM集团旗下的LAPISSemiconductor公司（蓝碧石半导体）面向需要高频日志数据采集和紧急时的高速数据备份的智能仪表、医疗保健设备、汽车导航系统等，开发出搭载串行总线的64Kbit铁电存储器注1（以下称“FeRAM”）“MR44V064B/MR45V064B”。
蓝碧石半导体开发出搭载超高速串行总线的铁电存储器
作为下一代非易失性存储器而备受期待的FeRAM，与已普及的一般非易失性存储器相比，具有“高速数据擦写”、“高擦写耐久性”、“低功耗”的特点，因此，是一种有助于实现应用的节电化和高性能化的器件。
新产品不仅实现了业界顶级的1.8V最低工作电压，而且2节镍氢充电电池也可使用FeRAM。2节AAA充电电池可实现约11年的擦写寿命（每秒擦写64Kbit时）等优势，非常有助于应用实现更长时间的驱动，还可扩大应用到便携设备和IoT领域。另外，支持的最大工作频率高达40MHz（SPI总线），仅1.64msec即可完成64Kbit的数据擦写，因此，即使系统发生异常也可进行超高速备份，从而保证数据的高可靠性。不仅如此，还具备两种不同的串行总线(I2C总线、SPI总线)，可灵活应对客户的系统规格。
本产品已从2016年1月起开始量产销售（样品价格500日元/个，不含税）。前期工序的生产基地为ROHM总部工厂（京都市），后期工序的生产基地为ROHMElectronicsPhilippines,Inc.（菲律宾）。
今后，蓝碧石半导体还会继续开发省电且高性能的产品，不断完善能够满足客户需求的、具备各种容量和接口等的产品阵容。
＜背景＞
近年来，随着节能化的发展趋势，不仅车载、工业设备，几乎在所有应用中均要求实现整个系统的低电压化。同时，随着高性能化发展，数据量日益增加，还要求更高速地将信息读取/写入到存储器。
蓝碧石半导体利用ROHM的铁电存储器制造技术和蓝碧石半导体的存储器设计技术双重优势，从2011年开始逐步扩充FeRAM系列产品。
蓝碧石半导体开发出搭载超高速串行总线的铁电存储器
＜特点＞
1.最低工作电压1.8V，可实现电池的长时间驱动
利用ROHM的低功耗铁电工艺技术优势，以及确保低电压下选择存储器数据的晶体管栅极电位，实现了业界顶级的1.8V最低工作电压。
由此，仅2节镍氢充电电池也可使用存储器。例如，用2节AAA充电电池按每秒每次64Kbit（原稿纸约10张）持续进行数据擦写，也可工作约11年，因此还可应用于需要长时间电池驱动的IoT领域。
2.实现业界顶级的高速工作
通过减轻存储数据的铁电电容选择时的选择器负载，实现了超高速存取。I2C支持业界顶级工作频率3.4MHz的Hs-mode。SPI也支持业界顶级的高达40MHz的工作频率，从而增强了FeRAM的优势之一----高速数据擦写特点。
蓝碧石半导体开发出搭载超高速串行总线的铁电存储器
64Kbit的数据擦写时间仅需1.64msec，速度非常快，因此即使发生停电等意外电压下降故障，也可在断电前备份数据，因此数据丢失的风险非常低，无需配置用于应对停电的延长供电的部件。非常适用于要求高速性且高数据保存安全性的应用。
