NXP推出高效能超低噪声的微波晶体管，高频应用(20GHz以下)的NPN微波晶体管BFU725F 可提供极佳的高切换频率、高增益和低噪声等组合性能。藉由其超低的噪声系数，非常适用于敏感度高的 RF module 及 High performance mobile phones；此外，其高切换频率的特色可用作 10GHz～30GHz 之微波应用如卫星电视接收器及汽车防撞雷达的解决方案。

BFU725F 采用了创新的硅锗碳 (SiGe:C) BiCMOS制程-QUBiC4X，这是专门为符合现实生活中的高频应用要求所设计的，可提供优越的高功率增益及动态范围组合性能，这个晶体管可谓将砷化镓 (GaAs) 的性能及硅锗碳的可靠性结为一体，但不需像使用砷化镓组件时还要再增加负偏置电压 (negative biasing voltages)的设计，所以在产品应用上更能为客户带来成本效益。

Key Features
Very low noice of 0.69dB at 6GHz
High Maximum stable gain (Gms) 27.8dB at 1.8GHz
High switching frequency - fT > 100GHz, fmax > 150GHz
Plastic surface mounted package, SOT343F

Key Benefits
Very low noise of 0.4dB at 1.8GHz
High gain of 10dB at 18GHz
SiGe:C process ensures high switching frequency
Cost-effective alternative to GaAs devices

Key Applications
GPS system
DECT Phone
2nd stage LNA and mixer in DBS and LNB
Satellite Radio
WLAN and CDMA applications
Low-noise microwave applications