电子产业
数字化服务平台

扫码下载
手机洽洽

  • 微信小程序

    让找料更便捷

  • 扫码下载手机洽洽

    随时找料

    即刻洽谈

    点击下载PC版
  • 华强电子网公众号

    电子元器件

    采购信息平台

  • 华强电子网移动端

    生意随身带

    随时随地找货

  • 华强商城公众号

    一站式电子元器件

    采购平台

  • 芯八哥公众号

    半导体行业观察第一站

标准I-V/C-V测试面临的挑战

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:133

标签:

摘要: 产品研发阶段的设计工程师采用的仿真模型,包括从s参数数据提取的RF参数和I-V/C-V数据。先进的设计工具要求的是统计模型,不是单个的一套参数。这使得良率和功能特性的最优化成为可能。如果I-V和C-V参数基于统计结果,而RF不是的话,那么这个模型就是非物理的和不可靠的。在有些情况下,比如电感、I-V和C-V信息的价值都非常有限。但是,Q在使用的频率之下,作为电感表征和控制的参数,则具有很高的价值。

产品研发阶段的设计工程师采用的仿真模型,包括从s参数数据提取的RF参数和I-V/C-V数据。先进的设计工具要求的是统计模型,不是单个的一套参数。这使得良率和功能特性的最优化成为可能。如果I-V和C-V参数基于统计结果,而RF不是的话,那么这个模型就是非物理的和不可靠的。

在有些情况下,比如电感、I-V和C-V信息的价值都非常有限。但是,Q在使用的频率之下,作为电感表征和控制的参数,则具有很高的价值。I-V和C-V测试中面临的挑战是要理解,什么时候它是产品特性的主要表征,什么时候不是。许多模拟和无线器件特性的只要表征参数是Ft和Fmax。理想的情况下,在第3谐波以外的使用情况下,它们是需要测量并提取出来的RF参数。对于数字和存储器产品,只要器件的模型保持简化,那么I-V和C-V对于有源和无源器件来说都是很有价值的测量项目。前面提到的,栅介质的测量具有复杂的C-V模型。



型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67