为逻辑芯片和存储芯片等应用提供高性价比的刻蚀解决方案

上海2021年3月16日 /美通社/ -- 中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，上交所股票代码：688012）在SEMICON China 2021期间正式发布了新一代电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备Primo Twin-Star^®，用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用。

中微公司双反应台电感耦合等离子体刻蚀设备Primo Twin-Star®

基于中微公司业已成熟的单台反应器的电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术和双台反应器的Primo平台，Primo Twin-Star^®为电介质前道/后道制程、多晶硅刻蚀、DTI和BSI刻蚀等提供了高性价比的刻蚀解决方案。它的创新设计包括：Primo Twin-Star^®使用了双反应台腔体设计和低电容耦合3D线圈设计，创新的反应腔设计可最大程度减弱非中心对称抽气口效应，通过采用多区温控静电吸盘（ESC）增强了对关键尺寸均匀性和重复性的控制。

凭借这些优异的性能和其他特性，与其他同类设备相比，Primo Twin-Star^® 以更小的占地面积、更低的生产成本和更高的输出效率，进行ICP适用的逻辑和存储芯片的介质和导体的各种刻蚀应用，并用于功率器件和CMOS图像传感器（CIS）的刻蚀应用。由于Primo Twin-Star^®反应器在很多方面采取了和单台机Primo nanova^®相同或相似的设计，在众多的刻蚀应用中，Primo Twin-Star^®显示了和单台反应器相同的刻蚀结果。这就给客户提供了高质量、高输出和低成本的解决方案。

中微公司的Primo Twin-Star^®刻蚀设备已收到来自国内领先客户的订单。目前，首台Primo Twin-Star^®设备已交付客户投入生产，良率稳定。公司还在进行用于不同刻蚀应用的多项评估。Primo Twin-Star^®设备优化了中微公司电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备产品线。

“现在的制造商对于生产成本日益敏感，我们的目标是为客户提供技术创新、高生产率和高性价比的ICP刻蚀解决方案。”中微公司集团副总裁兼等离子体刻蚀产品事业总部总经理倪图强博士说道，“Primo Twin-Star^®设备已在各类前道/后道制程、用于功率器件和CIS应用的深沟槽隔离刻蚀（DTI）中表现出卓越的性能。通过提供兼具这些优异性能和高性价比的解决方案，我们不仅帮助客户解决了技术难题，同时最大程度地提升了其投资效益。”

Primo Twin-Star^®是中微公司的注册商标。