瑞森半导体进一步壮大和完善超结（SJ）MOSFET系列，推出600V超结功率MOSFET---RSF60R070F、RSF60R026W型号。2枚新品各自具备核心优势，为国内少有产品型号 ，技术领航市场。

RSF60R070F型号

打破行业常规 (TO-220F封装70mΩ）

市场上70mΩ的超结（SJ）MOSFET产品，芯片面积超出TO-220F载芯面积，常规均采用TO-247封装，瑞森半导体新产品RSF60R070F采用专有的晶胞结构和特殊工艺流程，进一步优化产品设计，在Rdson不变的情况下，有效减小芯片面积，满足TO-220F/TO-263等封装外形，从而大幅减少器件在PCB线路板上占用的空间（TO-220F与TO-247封装外形相比，整体尺寸节约50%），助力小型化产品的应用。

RSF60R070F实测耐压为600V，导通电阻仅为58mΩ，使得MOS管在导通状态下实现更小的功率损耗和更高的效率，同时成本也随之下降，为客户提供低成本设计方案。该款产品主要适用于电源、电机控制、逆变器和其它高压开关应用等。

产品优势：

*常规产品封装为TO-247，而RSF60R070F为TO-220F封装，做到大电流小封装；

*有效减小芯片面积，大幅减少器件在PCB线路板上占用的空间；

*内置FRD，适应LLC线路，并适合多管应用；

*具有更快的开关速度，更低的导通损耗； 

*极低的栅极电荷（Qg），大大提高系统效率；

*优异的EMI性能。

RSF60R026W型号

业内优势导通电阻（典型值 20mΩ）

瑞森半导体具备超小内阻的新品RSF60R026W，目前市场上硅基超结MOS最小内阻为30mΩ左右。瑞森半导体基于丰富的超结MOS开发经验，开发出实测耐压为600V，导通电阻典型值20mΩ的超结（SJ）MOSFET，导通电阻减少了33% ，提高了开关性能，进一步降低功率损耗，可以极大提升整机电源的转换效率。

RSF60R026W适用于连续导通模式功率因数校正(PFC)、双管正激、LLC和太阳能升压等拓扑线路，典型应用于太阳能、服务器、电信设备和UPS(不间断电源)等。

产品优势：

*实现超小内阻,能做到RDS(ON)典型值20mΩ，导通电阻减少了33% ，降低功率损耗，进一步提高效率；

*内置FRD，适应LLC线路，并适合多管应用；

*100%雪崩测试；

*低栅极电荷、低导通电阻；

*优异的EMI性能。

内置ESD系列(RSE****)

内置FRD系列(RSF****)

更多附加功能

满足多种应用场景

全系列产品性能媲美国际品牌

助力国产化

瑞森半导体在超结（SJ）MOSFET系列上持续投入研发，现有产品包括内置ESD系列(RSE****)、内置FRD系列(RSF****)，耐压涵盖 600V 、650V、700V、800V 等，导通电阻从20mΩ到1000mΩ，全系列均具有出色的导通电阻特性，可提高效率和易用性，同时显著降低开关和传导损耗。性能对标国际品牌，助力国产化，已在市场具备知名度和美誉度。瑞森半导体将持续升级超结（SJ）MOSFET系列，满足不同客户的应用需求。

瑞森半导体将继续开发导通电阻更低、功能更完善的产品，降低功率损耗，满足各种应用场景，助力客户提升整机电源转换效率。瑞森半导体600V超结（SJ）MOSFET---RSF60R070F型号和RSF60R026W型号已上市，诚邀全球客户咨询。