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摘要: 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtrONInternationalCorporation宣布扩展其+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容,FM25L04-GA这款3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的F-RAM器件现符合Grade1AEC-Q100的规范要求,可在-40℃至+125℃的汽车工作温度范围内工作,并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。FM25L04-GA现已用于需要F-RAM经常及快速地保存数据的先进动力传动系统中,使变速度箱
全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtrON International Corporation宣布扩展其+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容,FM25L04-GA这款3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求,可在-40℃至+125℃的汽车工作温度范围内工作,并确保在极端温度条件下保存数据达9,000小时。
FM25L04-GA现已用于需要F-RAM经常及快速地保存数据的先进动力传动系统中,使变速度箱能够连续适应不断变化的驾驶者行为和路面状况。F-RAM的No Delay(无延迟)写入、几乎无限次的读写以及高速的SPI接口,为其带来独特的优势,能够在这及其它先进汽车应用中以最大的总线速度可靠地写入数据。
Ramtron战略市场拓展经理Duncan Bennett称:“在乘客舱内和引擎罩下的智能汽车应用中,Ramtron 的F-RAM存储技术已成为主流的存储器技术。Ramtron正在扩展其Grade 1汽车器件产品系列,以满足世界各地汽车制造商不同的要求。”
关于FM25L04-GA
FM25L04-GA是完全符合业界标准的SPI接口4Kb非易失性存储器,提升了F-RAM技术的高速写入能力。这款Grade 1 FRAM器件是同等EEPROM产品的直接硬件替代产品,但功能更强,具有高速的写入能力、几乎无限次的擦写,以及低工作电流。FM25L04-GA可以在高达10MHz的总线速度下进行读写操作,并具有先进的写保护方案以防止意外的写入与数据损坏。在+125℃时保证数据保存9,000小时,在55℃时数据更可保存17年,在汽车温度范围内并以3.0V电压运行。该产品采用“绿色”环保的8脚SOIC封装。
F-RAM在智能电子中的应用
F-RAM的快速写入和高耐久性使其成为理想的数据收集和存储器件。随着汽车设计中的传感器越来越多,需要收集的数据也越来越多。F-RAM的NoDelay写入方式有利于以更高频率收集更多的数据,使智能汽车能够得到最及时的信息从而采取快速的行动。F-RAM技术已被全球大量精密复杂的汽车电子系统设计广泛采用,如智能安全气囊、事件记录仪、自适应巡航控制、动力传动、信息娱乐系统、诊断和防卡/陷车窗等。目前获得的Grade 1 汽车应用资格将使设计人员从整个汽车系统中的F-RAM应用中获益。要了解有关Ramtron车用F-RAM产品的更多信息,请访问网页:www、ramtron、com/doc/Applications/Automotive、asp
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |