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基于英飞凌新一代LDMOS的功放参考设计(世强电讯)

来源:华强电子网用户 作者:华仔 浏览:323

标签:

摘要: 英飞凌科技(InfineonTEchnologies)公司是全球领先的半导体公司之一,其高可靠性,高质量的产品覆盖了模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置等领域。在射频方面,英飞凌近期推出了一系列LDMOS晶体管,最新第九代产品大功率管以PTFB系列为主,其具有功率大、效率高、增益高等特点。包括的型号有:-适用于1800-2000MHz的PTFB182503E和PTFB183404F;其P1dB分别为240W和340W,增益分别为19dB和17dB。-适用于1800-2000MHz的PTFB1

英飞凌科技(Infineon TEchnologies)公司是全球领先的半导体公司之一,其高可靠性,高质量的产品覆盖了模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置等领域。

在射频方面,英飞凌近期推出了一系列LDMOS晶体管,最新第九代产品大功率管以PTFB系列为主,其具有功率大、效率高、增益高等特点。包括的型号有:

- 适用于1800-2000MHz的PTFB182503E和PTFB183404F;其P1dB分别为240W和340W,增益分别为19dB和17dB。
- 适用于1800-2000MHz的PTFB191501E和PTFB192503F;其P1dB分别为150W和240W,增益分别为18dB和19dB。
- 适用于2110-2170MHz的PTFB211503EL,P1dB为150W,增益为18dB;PTFB211803EL,P1dB为180W,增益为17.5dB;PTFB212503EL,P1dB为240W,增益为18dB;PTFB213004F,P1dB为300W,增益为18dB。

在宽带功率放大管方面有工作频率从700MHz到2200MHz的产品,其型号分别为PTFA220041M、PTFA220081M、PTFA220121M;P1dB分别为5W、8W、15W;增益分别为17.9dB、17dB、16dB;由于其工作频带宽,且在保持电路不变的情况下,只需要改变匹配电容的参数与位置,就可以实现在不同频率下工作,减少了重复性设计工作,提供了很多方便。

世强电讯目前正着手采用这些最新的第九代LDMOS研发设计成DEMO测试板,目前开发的设计方案有:25W-35W WCDMA Doherty功放Demo, TDSCDMA 10W/20W Demo, 针对900MHz、1800MHz、2100MHz等多个频点,采用4W/8W/12W设计而成的推动级Demo.
 

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67