1.V-MOS场效应管的结构
　　
　　V-MOS场效应管的结构如图所示。它是在N+衬底上的N-外延层上,先后进行P-型区和N+型区两次选择扩散，然后利用硅的各向异性刻蚀技术，刻蚀出V形槽。漏极从芯片的背面引出，源极及栅极在V形槽的两个臂上制成。
　　
　　当给源极和漏极间加上电压UDS，若栅极电位为零或负，由于PN结反向偏置，漏极与源极间没有电流流过，ID=O;当栅极接大正电压时，由于电荷感应，在P-型区感应出电子，由于电子的积累，形成了N型沟道。该沟道连通了N+型区和N-型区，在源极和漏极之间便产生了电流，电流的大小取决于栅极上正电压的大小。

　　　
　　2.V-MOS场效应管的特点
　　
　　(1)输入阻抗高从结构上可以看出，由于栅极间是SiO2层,所以栅极和源极间的直流电阻,就是SiO2层的绝缘电阻，一般为1X108Ω。V-MOS管的输入电容比半导体三极管的输入电容要小，一般小于5OOpF，所以V-MOS管的交流输入阻抗也很高。
　　
　　(2)驱动电流和驱功率小V-MOS管属功率型场效应管,但其驱动电流却很小,一般为100nA。驱动功率也很小,一般认识为只要有电压便可驱动。
　　
　　(3)开关速度快V-MOS功率器件的开关速度比半导体功率三极管要快得多，一般低压V-MOS管的开关时间为1ONs数量级;高压V-MOS功率管的开关时间为1OOμs数量级。
　　
　　(4)通频带宽，高频特性好由于V-MOS功率管的载流子的运动是快速的漂移运动，同时漂移距离也很短，为1~1.5μm，所以V-MOS管功率增益随频率变化极小，通频带宽，有良好的高频特性。
　　
　　(5)跨导呈高度线性由于V-MOS管的沟道长度在1~2μm之间，所以载流子极易饱和。饱和后的跨导gm基本上为一常数，不随电流大小而变化，呈现出高度的线性。
　　
　　(6)电流自动调节能力强，热稳定性好V-MOS管的沟道电阻具有正的温度系数，器件的电流具有负的温度系数，因而V-MOS功率管具有良好的电流自动调节能力。V-MOS功率管具有均匀温度分布能力，热稳定性好。

　　下图为用标准TTL驱动VMOS管的电路。将VMOS接于标准TTL电路上只需接一个电阻以提高栅极电压。如没有这个电阻，高电平输出时，栅压为3V，VMOS管导通电流200MA。接此电阻(10KΩ)后栅压提高到5V。导通电流约500mA。