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单晶铜是由日本工业大学的大野(Ohno)教授所发明的“高温热铸模式连续铸造法”所制造的导体技术。因为铸造过程经过特殊加热处理,所以可以获得单结晶状导体,每一结晶可以延伸数百公尺以上。在实际应用之时,在长度上结晶粒仅有一个,并没有所谓“晶粒界面”存在;在讯号传讯时,无需透过晶粒与晶粒之间的“晶界”,讯号更易于穿透与传导,因此损耗极低,堪称是相当完美的线材。
用单晶连铸技术拉出的铜材仅由一个晶粒组成,具有超常的机械加工性能和电学特性。其特点有三:
1.单晶铜纯度达到99.9999[%];
2.特性很难满足封装要求。
5.低成本:单晶铜丝成本只有金丝的1/3-1/10,可节约键合封装材料成本90[%];比重是金丝的1/2,1吨单晶铜丝可替代2吨金丝; 当今半导体行业的一些显着变化直接影响到了IC互连技术,其中成本因素也是推动互连技术发展的主要因素。目前金丝键合长度超过5mm,引线数达到400以上,其封装成本超过0.2美元。而采用单晶铜丝键合不但能降低器件制造成本,提高竞争优势。对于1密耳焊线,成本最高可降低75[%],2密耳可达90[%]。