吸收电容 更新时间：2011-05-28 13:50

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吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器，可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管（IGBT），消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压，避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。

吸收电容的结构特点

• 双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路。

  电容结构: 双层金属化膜，内部串联结构

  封装: 阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合(UL94V-0 )标准.

  尺寸: 适合于各种IGBT保护。

吸收电容的技术参数

• 电容量: 0.0047 to 6.8μF

  额定电压: 700 to 3000 Vdc

  损耗角正切:

  测试条件 1000±20 Hz ， 25±5℃.

  Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4

  绝缘，以及无感泄放电阻；第四，其它有效措施。目前，缓冲电路的制作工艺也有多种方式：有用分立件连接的；有通过印制版连接的；更有用缓冲电容模块直接安装在IGBT 模块上的。显然，最后一种方式因符合上述第二、第三种降感措施，因而缓冲效果最好，能最大限度地保护IGBT 安全运行。