瓷介电容 更新时间：2011-05-28 05:50

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瓷介电容是一种主体为标准独石结构的电容器，在高频和低频电路中都可适用。引出端用可焊接的金属或合金制成，高频与非高频瓷介电容有明显的标志区别。

瓷介电容的分类

• 瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。

  I型（CC型）特点是体积小，损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。

  II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。

瓷介电容的制造工序

• 据《GJB192A瓷介电容器总规范》规定，瓷介电容技术的工序应该包括但不限于下列工序

  a 原材料的配料与混合

  b 介质片的制造

  c 叠片和印制电极

  d 层压和切块

  e 芯片烧结

  f 端电极涂镀

  g 包装

瓷介电容的参数举例

• CT1型圆形瓷片低频电容

  环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472 （+-10%）472-403（+80-- -20%）

  CC01圆形：1000mohm

  允差：+80 -20%容量：1000-47000p

  工作电压：63v 试验电压：200v