FeRam 更新时间：2011-05-27 11:40

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FeRAM.它是利用铁电薄膜的双稳态极化特性——电滞回线制备的非易失性存储器，将铁电薄膜技术与集成电路工艺相结合制作铁电存储器（FeRAM）是新兴的边缘学科-集成铁电学中电引入瞩目的研究方向。

FeRam的特点

• FeRam具有不挥发性和抗辐射性，功耗低，写操作速度快，可比EEPROM高两个数量级，写操作次数高，可达100亿次，比EEPROM高数个数量级。FeRAM被认为是未来存储技术的主流，根据预测，今后若干年内可能取代EEPROM，甚至DRAM，SRAM而占据每年几百亿美元市场，将在非接触IC卡，移动电话，手提计算机，嵌入式微处理器，AIR BAG等方面得到广泛应用。这一技术有巨大的市场价值。同时体现了材料、技术和多种物理效应的集成，对它的研究同时有着重要的科学意义。

FeRam的应用

• FeRam是一种理想的存储器.在计算机、航天航空、军工等领域具有广阔的应用前景.FeRAM是当前铁电薄膜存储器的主要研究和开发方向，世界上许多大的半导体公司对此都十分重视.如美国的Ramtron公司在1995年开发出4—6kbit的并行和串行结构的FeRAM产品.该公司与Symetrix共同组建联合体，计划在1998年推出16Mbit FeRAM产品，投放市场.

FeRam的发展前景

• 从目前的市场情况看，不挥发存储器的市场增长速度已高于DRAM和SRAM。应用需求主要在非接触IC卡、OS工艺集成的技术，达不到批量生产的原因主要是材料和存储单元结构问题。具体表现在很多器件停留在发表论文阶段；与主流产品存在技术代的差距，目前只有０.35μm器件采用MLM工艺。单元尺寸不会小于25Ｆ２，Ｆ是最小线宽。构成阵列的效率较低，在25-30％范围内。