TFT阵列式基板形成阶段
TFT array之制程主要清洗,成膜,而后黄光制板,后再经蚀刻制程形成所要的图样,然后依光罩数而作 循环制程,在这循环制程中要先将洗净的玻璃基板送进溅镀机台镀上一层金属后,再用黄光及蚀刻制程形成闸极,区域图样,隋后玻璃基板经光阻剥离洗净,再以薄膜区电浆辅助化学相沉积机台形成用作主动区域,经过一系列的协作.后以薄膜区化学气相沉积杨台上形成TFT区域保护层,挖出接角也洞,再溅镀上一层氧化锢锡膜(ITO),再用黄光及蚀刻区制程形成画素区域图样而在这循环制程中以后通TFT蚀刻制程为主要步骤.
TFT的结构依闸,源,汲极沉积的先后顺序,大致可分为四类,如图,目前正在产量TFT多是以反转堆叠式结构为主,而因它构造简单及制程容易则广泛被TFT制造业者所采用,又由於制程有差异分为:1)后通道蚀刻TFT,2)后通护TFT或再称为三层结构TFT.TFT的制作流程关键步骤是蚀刻后通道端的N型非晶矽.以形成闸极可控制的通道,这一般是干蚀刻法,而造成漏电流的原因可能后通道在作干鹿记得时容易造成物抟残留.
TFT-LCD形成阶段
在TFT-LCD玻璃完成所有制程后,再配合上另一擤具有红,绿,蓝彩色滤光膜的玻璃,先配向膜刷,配向处理,间隔物的涂布及上框胶之后再进行两片玻璃上下封组,切割裂片磨边导角,清洗,再进行液晶注入及封口,最后再目检及电测,其中最重要的步骤如下:
1)配向处理
目前所采用的配全处理方法是刷磨处理,主要是以卷在金属滚轴的绒布刷磨烧制后的配向膜,使液晶分子能预先朝一定方向的方法.
2)间隔物的洒布
目的是为了获得均匀的液晶厚度,它分散的密度高的话可以得到较均匀的CELL GAP,若间隔物有漏光时会降低品质,反之,间隔物分散度越低时便无法得均匀的CELL GAP,也会影响品质.因此适量均匀的间隔物洒布非常重要,目前以洒式散布法较容易控制密度, 要先做好洒上间隔物,固上框胶后才可以进行CF及TFT的封准组合.
3)面板切割
以TFT与CF的封准组合再以超硬质钢刀滚轮切割再压裂的方式得到每一片面板.
以后隋着外型,大小及模组外型的狭框化,薄型化的发展,以超硬质钢刀无法潢足要求,以后以雷射切割的方式.
4)液晶注入
I将玻璃在机台上用外框固定好,用直下式的方法注入液晶注入液晶时,应注意避免造成spacer broken及spacer聚集.)
II先让CELL内部真空化后,将CELL的液晶注放口浸入液晶槽中,再以氮气 作破真空的动作,内外压力差与毛细现会使液晶注入CELL内部
Spacer broken:是注入液晶时,液晶颗粒大,两片玻璃压合时产生破裂.
Spacer聚集:注入液晶时,液晶有大颗的也有小颗,由於液晶太小在中槽中会滚动,几颗碰到一起就形成了Spacer聚集.
5)目检及电测
液晶CELL工程主要的检查是液晶注入后的配向检查,初期点灯检查与最终检查而这些检查都是以目视进行.
