巨磁阻 更新时间：2011-05-28 17:40

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巨磁阻又称特大磁电阻，即GMR（Giant Magneto Resistive），庞磁电阻等其MR(磁电阻)可高达10^6%。演示巨磁阻现象的基本器件是两层或多层铁磁体，由非磁性材料分开。每一层的厚度都在纳米数量级。而巨磁阻是基于两个基本的物理过程。

巨磁阻的背景

• 巨磁阻的因其系统简单却又效应明显，1994，IBM成功地将巨磁阻效应运用在硬碟读写磁头，将磁碟容量提高了近20倍，也成功地在硬碟市场上夺得领先的地位。巨磁阻效应更开启了自旋电子学的发展，磁性效应和半导体的结合，使得现今的电子元件既小又快速。现在，我们所使用的电脑不论硬碟或是RAM都和巨磁阻有关联。而日常使用的数位相机、PDA也都有巨磁阻的影子。近年，科学家更构想利用巨磁阻所衍生的自旋阀作为量子电脑中的元件。

  费尔和葛伦贝尔的成就获得了国际的肯定，更在2007获颁诺贝尔物理奖以表彰他们在近代科技发展的贡献，而这更凸显了巨磁阻在近代科技发展中的地位。

巨磁阻的磁头

• 巨磁阻的磁头是由4层导电材料和磁性材料薄膜构成的：一个传感层、一个非导电中介层、一个磁性的栓层和一个交换层。

  巨磁阻前3个层控制着磁头的电阻。在栓层中，：航海，航空导航；

  2、地磁场检测，高精度磁补偿电流检测；

  3、交通控制系统交通工具检测：车辆分类，是否有车辆存在或通过的运动方向；仃车场车辆存在与否检测。

  4、旋转磁轮和运动磁条的转速或速度检测；

  5、高速接近传感器；远距离（大于200mm）检测。