动态随机存取存储器 更新时间：2011-05-27 03:20

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动态随机存取存储器，简称动态随机存储器，英文为DRAM（Dynamic Random Access Memory），是一种依靠电容存储且须定期刷新的随机存取存储器。动态随机存取存储器具有集成度高、功耗低等优点，适合于计算机的内存。

动态随机存取存储器概述

• 动态随机存取存储器是一种使用场效应管栅极、电容作储存元件的MOS存储器，输入数据以动态形式予以存储。DRAM只能将数据保持很短的时间，为了保持数据，DRAM必须隔一段时间刷新（refresh）一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。

  最初，DRAM多使用于关键的存储器中。由于在现实中电容会有漏电的现象，导致电位差不足而使记忆消失，因此除非电容经常周期性地充电，否则无法确保记忆长存。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。

  与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单——每一个位的数据都只需一个电容跟一个会跟踪刷新序列，即记录下哪些行被访问过，以及访问的次序。完成全部工作所需的时间极短，需要以纳秒（十亿分之一秒）计算。存储器芯片被列为70纳秒级的意思是，该芯片读取单个存储单元并完成再充电总共需要70纳秒。

  如果没有读写信息的策略作为支持，存储单元本身是毫无价值的。所以存储单元拥有一整套由其他类型的专用电路构成的底层设施。这些电路具有下列功能：

  1.判别记忆行和记忆列的地址（行选址和列选址）；

  2.记录刷新序列（计数器）；

  3.从存储单元中读取、恢复数据（灵敏放大器）；

  4.告知存储单元是否接受电荷（写保护）；

  5.内存控制器要执行其他一些任务，包括识别存储器的类型、速度和容量，以及检错等等。