硅组件
Si为主流
以硅为基材的集成电路共有Si BJT(Si-Bipolar Junction Transistor)、Si CMOS、与结合Bipolar与CMOS特性的Si BiCMOS(Si Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)等类。由于硅是当前半导体产业应用最为成熟的材料，因此，不论在产量或价格方面都极具优势。传统上以硅来制作的晶体管多采用BJT或CMOS，不过，由于硅材料没有半绝缘基板，再加上组件本身的增益较低，若要应用在高频段操作的无线通信IC制造，则需进一步提升其高频电性，除了要改善材料结构来提高组件的fT，还必须藉助沟槽隔离等制程以提高电路间的隔离度与Q值，如此一来，其制程将会更为复杂，且不良率与成本也将大幅提高。
因此，目前多以具有低噪声、电子移动速度快、且集成度高的Si BiCMOS制程为主。而主要的应用则以中频模块或低层的射频模块为主，至于对于低噪声放大器、功率放大器与开关器等射频前端组件的制造仍力有未逮。
SiGe制程崭露头角
1980年代IBM为改进Si材料而加入Ge，以便增加电子流的速度，减少耗能及改进功能，却意外成功的结合了Si与Ge。而自98年IBM宣布SiGe迈入量产化阶段后，近两、三年来，SiGe已成了最被重视的无线通信IC制程技术之一。
依材料特性来看，SiGe高频特性良好，材料安全性佳，导热性好，而且制程成熟、整合度高，具成本较低之优势，换言之，SiGe不但可以直接利用半导体现有200mm晶圆制程，达到高集成度，据以创造经济规模，还有媲美GaAs的高速特性。随着近来IDM大厂的投入，SiGe 技术已逐步在截止频率(fT)与击穿电压(Breakdown voltage)过低等问题获得改善而日趋实用。目前，这项由IBM所开发出来的制程技术已整合了高效能的SiGe HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)3.3V及0.5μm的CMOS技术，可以利用主动或被动组件，从事模拟、RF及混合信号方面的配置应用。
对于无线通信射频IC应用而言，SiGe技术具有良好的线性度、低噪声、快速等特性，可适用于手机射频前端如LNA、Mixer等。因此，随着SiGe制程技术的性能日趋完善，再加上集成度高，使得全球射频芯片大厂与晶圆代工厂商皆已陆续投入此一技术的发展。
RF CMOS蓄势待发
尽管纯硅的CMOS制程被认为仅适用于数字功能需求较多的设计，而不适用于以模拟电路为主的射频IC设计，不过历经十几年的努力后，随着CMOS性能的提升、晶圆代工厂在0.25mm以下制程技术的配合、以及无线通信芯片整合趋势的引领下，RF CMOS制程不仅是学界研究的热门课题，也引起了业界的关注。采用RF CMOS制程最大的好处，当然是可以将射频、基频与存储器等组件合而为一的高整合度，并同时降低组件成本。但是症结点仍在于RF CMOS是否能解决高噪声、低绝缘度与Q值、与降低改善性能所增加制程成本等问题，才能满足无线通信严格的要求。
目前已采用RF CMOS制作射频IC的产品多以对射频规格要求较为宽松的Bluetooth与WLAN射频IC，例如CSR、Oki、Broadcom等Bluetooth芯片厂商皆已推出使用CMOS制造的Bluetooth传送器；而Atheros、Envara等WLAN芯片厂商也在最近推出全CMOS制程的多模WLAN(.11b/g/a)射频芯片组。不过，由于手机用射频IC规格非常严格，到目前为止，除了Silicon Labs以数字技术来强化低中频至基频滤波器及数字频道选择滤波器功能，以降低CMOS噪声过高的问题所生产的Aero 低中频 GSM/GPRS芯片组外，很少厂商以此技术制造手机射频IC。再者，由于手机制造商对其可靠度的疑虑仍深，故除了韩国三星电子采用Silicon Labs的Aero射频芯片组外，几乎未曾听闻手机制造厂采用CMOS生产的RF芯片。由此观之，RF CMOS欲在手机射频IC制程中抢占一席之地仍有许多亟待克服的障碍。
化合物半导体：GaAs
除了硅制程的芯片之外，以砷化镓制程所生产的芯片亦早就被大量运用在卫星通信、军事武器等国防工业上，只是其应用范围狭隘，且产业结构较为封闭，以致于市场开拓不易。不过，随着近年来无线通信的发展，砷化镓制造的IC逐渐广为应用在无线通信功率放大组件的制造。
依材料特性来看，砷化镓为化合物半导体，由于电子移动率约为硅的5.7倍，且高频使用消耗功率低，故多用于制作功率放大器组件。一般来说，砷化镓在无线通信射频前端的应用具有高工作频率、低噪声、工作温度适用范围高、以及能源利用率佳等几种优点。
在组件种类方面，依晶体管制程结构可分为：金属半导体场效应晶体管(Metal Semiconductor Field Effect Transistor，MESFET)、假晶高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor，pHEMT)、异质结双极晶体管(Heterostructure Bipolar Transistor，HBT)等三类。其中HBT虽然是三者中最新开发的技术，但其结构上的优势，使信道上的电子流呈垂直方向，可以产生较高的功率密度，且仅需单一电压，在同样的输出功率下，HBT的线性效果优于其它晶体管结构，正适合目前讲求轻薄短小、待机时间长的移动电话。
综合上述各种应用于无线通信IC制造的半导体材料与制程技术，由于GaAs等制程拥有高工作频率、低噪声等优点，因此在未来两三年内仍是高速模拟电路，特别是功率放大器的主流制程技术。不过GaAs也存在着成本昂贵，且无法和硅芯片集成的缺点。
至于在硅制程方面，随着SiGe制程的崛起，与RF CMOS逐步朝向实用化阶段迈进，将影响Si BiCMOS制程目前在射频IC的主流地位，尤其是SiGe制程技术将会日益受到重视。过去在发展初期，SiGe由于截止频率(Cutoff frequency：fT)，及其相对的崩溃电压过低，使得SiGe难以应用在射频功率放大器上，相较之下GaAs不但具有高fT，而且其崩溃电压也远高于SiGe或Si制程，因此在功率放大器(PA)的应用上有极大的优势。但经过短短几年的改进，目前的SiGe HBT技术不仅已被Infineon、RF MD、Conexant等无线通信IC大厂广为应用在手机射频前端如LNA、Mixer等组件，也已发挥其制程集成能力完成集成RF/IF功能的Transceiver产品，更进一步挑战GaAs在PA产品的优势。
除了上述的制程外，其它逐步应用在无线通信高频组件的基材还有磷化铟(InP)或GaAs on Si等制程。前者较砷化镓更适于高频应用，效率更高，组件更小，被认为未来有可能会取代砷化镓，只是目前价格昂贵；后者主要由Motorola发展，于2001年9月宣布成功用于商业用途，可将GaAs的功率放大器(PA)与Si为主的基频模块结合在一起以降低成本，依据Motorola的构想，砷化镓与硅结合实用化后，最初将先运用在输出功率小于10W的WLAN和手机等消费类产品上。不过砷化镓与硅结合，需要额外的加工工程，制程程序增加，良率会降低，因此其成本与商业化进程等问题仍有待考验。
