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关键词:
导体场效应晶体管是由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管,它属于电压控制型半导体器件。
具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管可应用于放大,由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。
场效应管可以用作电子开关。
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源。
按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为:结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
IDSS—饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.
Up—夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.
Ut—开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.
gM—跨导.是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM是衡量场效应管放大能力的重要参数.
BVDS—漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
PDSM—最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
IDSM—最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM
Cds---漏-源电容
Cdu---漏-衬底电容
Cgd---栅-源电容
Cgs---漏-源电容
Ciss---栅短路共源输入电容
COSS---栅短路共源输出电容
CRSS---栅短路共源反向传输电容
D---占空比(占空系数,外电路参数)
di/dt---电流上升率(外电路参数)
dv/dt---电压上升率(外电路参数)
ID---漏极电流(直流)
IDM---漏极脉冲电流
ID(on)---通态漏极电流
IDQ---静态漏极电流(射频功率管)
IDS---漏源电流
IDSM---最大漏源电流
IDSS---栅-源短路时,漏极电流
IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流)
IG---栅极电流(直流)
IGF---正向栅电流
IGR---反向栅电流
IGDO---源极开路时,截止栅电流
IGSO---漏极开路时,截止栅电流
IGM---栅极脉冲电流
IGP---栅极峰值电流
IF---二极管正向电流
IGSS---漏极短路时截止栅电流
IDSS1---对管第一管漏源饱和电流
IDSS2---对管第二管漏源饱和电流
Iu---衬底电流
Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)
gfs---正向跨导
Gp---功率增益
Gps---共源极中和高频功率增益
gpg---共栅极中和高频功率增益
GPD---共漏极中和高频功率增益
ggd---栅漏电导
gds---漏源电导
K---失调电压温度系数
Ku---传输系数
L---负载电感(外电路参数)
LD---漏极电感
Ls---源极电感
rDS---漏源电阻
rDS(on)---漏源通态电阻
rDS(of)---漏源断态电阻
rGD---栅漏电阻
rgs---栅源电阻
Rg---栅极外接电阻(外电路参数)
RL---负载电阻(外电路参数)
R(th)jc---结壳热阻
R(th)ja---结环热阻
PD---漏极耗散功率
PDM---漏极最大允许耗散功率
PIN--输入功率
POUT---输出功率
PPK---脉冲功率峰值(外电路参数)
to(on)---开通延迟时间
td(off)---关断延迟时间
ti---上升时间
ton---开通时间
toff---关断时间
tf---下降时间
trr---反向恢复时间
Tj---结温
Tjm---最大允许结温
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Tstg---贮成温度
VDS---漏源电压(直流)
VGS---栅源电压(直流)
VGSF--正向栅源电压(直流)
VGSR---反向栅源电压(直流)
VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数)
VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)
Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)
VGS(th)---开启电压或阀电压
V(BR)DSS---漏源击穿电压
V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压
VDS(on)---漏源通态电压
VDS(sat)---漏源饱和电压
VGD---栅漏电压(直流)
VSU---源衬底电压(直流)
VDU---漏衬底电压(直流)
VGu---栅衬底电压(直流)
Zo---驱动源内阻
η---漏极效率(射频功率管)
Vn---噪声电压
aID---漏极电流温度系数
ards---漏源电阻温度系数