在不对工艺做任何修改的情况下，N＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，N型外延集电区可用做PIN光电二极管中的I层，而基极注入区则可以被用做阳极，如图1所示。这样就使得在标准的双极工艺中能够集成带有薄本征层的光电二极管［37～38］。

　　图1  基极－集电极形成的PIN光电二极管

　　高速双极工艺中N型外延层厚度大约在1 gm左右，这样小的厚度会使得探测器在黄色到红外光谱范围（580～1100 nm）内量子效率较低。而光脉冲信号引起的光生电流的上升时间和下降时间同样会由于薄外延层的原因变得非常短，从而有利于改善响应速度。这种光电二极管的数据传输能力可达到10 Gb/s，但是其在肛850 nm下的响应度仅有R＝48 mA/W［37］。780～850 nm波长范围在最长几千米的短程光数据传输中被广泛应用，在此波长范围下较低的响应度是标准双极工艺0EIC的主要缺陷。另有一种类似结构采用0.8 gm硅双极工艺制作的光电集成电路在入射光λ＝850 nm时，速率达到5 Gb/s，但响应度只有R＝45 mA/W［38］。总的来说，这些单片集成的硅0EIC可以达到的工作速率已经超过了采用Ⅲ－Ⅴ族化合物光电探测器与硅基放大电路混合集成的方式卩叨，这充分显示了光电探测器单片集成的优越性。

　　当采用注入发射极时，发射区－基区光电二极管可以用于蓝色和绿色光谱范围的探测。但是当采用了在双极工艺中广泛使用多晶硅发射极技术后，这种光电二极管的性能并没有什么改善。可能是由于在这种工艺中，多晶硅淀积在N+发射区之上，也就是几乎全部的光电探测器感应区被多晶硅覆盖。在多晶硅中注入光子被部分吸收，从而导致光电探测器量子效率降低，特别是对于蓝光和紫外光谱段的量子效率尤其低。