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意法推出;STL150N3LLH6和STD150N3LLH6

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:382

标签:

摘要: ;意法半导体(st)推出全新系列的30v表面贴装功率晶体管,导通电阻仅为2毫欧(最大值),新产品可提高计算机、电信设备和网络设备的能效。采用意法半导体最新的stripfet vi deepgate制造工艺,单元密度提高,以有效芯片尺寸对比,新产品实现业内最佳的导通电阻rds(on),比上一代产品改进大约20个百分点,开关稳压器和直流-直流转换器内因此可以使用小尺寸的贴装功率封装。这项技术还得益于本

;意法半导体(st)推出全新系列的30v表面贴装功率晶体管,导通电阻仅为2毫欧(最大值),新产品可提高计算机、电信设备和网络设备的能效。
采用意法半导体最新的stripfet vi deepgate制造工艺,单元密度提高,以有效芯片尺寸对比,新产品实现业内最佳的导通电阻rds(on),比上一代产品改进大约20个百分点,开关稳压器和直流-直流转换器内因此可以使用小尺寸的贴装功率封装。这项技术还得益于本身既有的低栅电荷量特性,这项优点让设计人员可以使用高开关频率,在产品设计中选用尺寸更小的无源器件,如电感和电容。 ;;; ;;; 意法半导体新30v表面贴装功率晶体管产品提供各种工业标准封装,包括so-8、dpak、5×6mm powerflat、3.3×3.3mmpowerflat、polarpak?、通孔ipak和sot23-6l,兼容现有的焊盘/引脚布局,同时还能提高能效和功率密度。这一特性使意法半导体的stripfet vi deepgate产品系列可以创造出最大的市场机遇。;;; 首批采用新工艺的产品包括stl150n3llh6和std150n3llh6两款产品。stl150n3llh6采用5×6mm powerflat封装,单位面积导通电阻rds(on)达到市场最低水平;std150n3llh6采用dpak封装,导通电阻 rds(on)为2.4毫欧。;;; 两款产品的样片都已上市,计划2009年6月开始量产。;
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67