特点

• 单管中、大功率VMOS管驱动器
• 无需隔离电源
• 工作占空比5－95％
• 关断时输出为负电平

应用

• 可驱动中等功率VMOS 或IGBT。适用的器件，封装大致为TO-220，电流容量范围在5－25A，电压容量范围在50－1000V，栅源电容范围在2.2-10nF。
• 也可以驱动封装大致为TO-247和TO3P的大功率管一只、或上述中功率管两只，但工作频率不宜高于100KHz。

• PWM/PFM控制和移相控制均可

1.即PWM前级IC的工作电压,参见图1、图2。误差大些，仍可工作，但可能对其它参数有影响。
2.等效输入电流，参见图1。
3.用户可以要求更低的频率。最高频率是在CL=4.7n时达到的，等效负载过大，可能烧毁驱动器。
4.可按用户要求更改。

图1.驱动器等效输入电流测试图

图2.应用连接图

1. R1可用2.2－10Ω，C1可用>=22uF/25V电解,C2为1uF的CBB无感电容。
2. T1、T2可用>=1A/40V/60MHz的三极管，D1、D2最好用>=0.2A/25V的肖特基管。
驱动中小功率的MOS管时，一般无需使用T1、T2缓冲级(但D1、D2还是需要的)，具体应以实验为准。
3. R2可用4.7－22Ω。
4. R3须在3.3－4.7KΩ。
5. D为续流二极管，由用户根据情况选用。