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1N5819G

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1N5819G中文资料规格参数

1N5819G概述

反向重复峰值电压VRRM(max)(V):1
平均整流器前向电流IO(max)(A):40
瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.600
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):25
瞬间反转电流IR(max)(mA):1
封装/温度(℃):DO41/-65~125

1N5819G数据手册

厂商 PDF简要描述 下载
ON Semiconductor
PDF
供应商 数量 厂商 批号 封装 交易说明 仓库
9000
UTC/友顺半导体
2019+
DO-201AD1
UTC一级代理有代理证原厂技术支持/假一罚万
83500
ONSEMI/安森美
2436+
AXIALLEAD
原装无铅进口现货
深圳
442
ONSEMI/安森美
0631+
DO-41
鹏盛达/进口原装现货/支持实单
深圳
35000
ONSEMI/安森美
21+22+23+
DO-201AD
进口原装代理现货或订货
6000
ONSEMI/安森美
23+
DO-201AD
只做进口原厂原装正品假一罚十

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