1N5936BRLG中文资料PDF_1N5936BRLG芯片概述/特性/原理及引脚图等信息

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1N5936BRLG概述

齐纳击穿电压Vz最小值(V):28.500
齐纳击穿电压Vz典型值(V):30
齐纳击穿电压Vz最大值(V):31.500
@Izt(mA):12.500
齐纳阻抗Zzt(Ω):28
最大功率PMax(W):3
芯片标识:1N5936B
封装/温度(℃):Surmetic30/-65~200

1N5936BRLG推荐供应商

供应商	数量	厂商	批号	封装	交易说明	仓库
深圳市福田区腾大电子经营部	10000	ONSEMI/安森美	11+	DO-41(DIP-2)	优势产品原装现货
深圳市安芯美电子有限公司	9000	ONSEMI/安森美	24+	DO-41	全系列全新大量现货，不止网上数量	深圳
深圳市福田区扬城电子经营部	68500	ONSEMI/安森美	16+ROHS	DO-15	原装进口现货
深圳市威世台产半导体有限公司	9000	ONSEMI/安森美	23+	DO-41	全系列全新原装现货，房间可拆样	深圳
深圳市福田区海德盛电子经营部	20000	ONSEMI/安森美	25+	DO-41	现货认证专营进口二极管佳和3C052房间	深圳

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供应商	型号	品牌	批号	封装	交易说明

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