类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5 欧姆 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：200mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：50pF @ 25V
功率 - 最大：400mW
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-92-3（标准主体），TO-226
包装：带盒 (TB)
供应商设备封装：*