2SD21850RL概述
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 50mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):120 @ 200mA, 2V
功率 - 最大:1W
频率 - 转换:120MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:迷你型 3P
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:*
其它名称:2SD2185-(TX)2SD2185-TX2SD218500L2SD218500LTR2SD218500LTR-ND2SD21850RLTR2SD2185TR2SD2185TR-ND