晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.85ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:40W
封装类型:TO-220SIS
功率, Pd:40W
封装类型:TO-220SIS
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:8A
电流, Idm 脉冲:32A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V