DMG6601LVT-7这款金属氧化物半导体场效应晶体管设计用于最小化导通电阻(Ros(cN))，同时保持出色的开关性能。非常适合高效电源管理应用。

• 额定功率：0.54 W

• 针脚数：6

• 漏源极电阻：0.034 Ω

• 极性：N-Channel, P-Channel

• 耗散功率：1.3 W

• 阈值电压：1 V

• 漏源极电压(Vds)：30 V

• 连续漏极电流(Ids)：3.8A/2.5A

• 输入电容(Ciss)：422pF @15V(Vds)

• 额定功率(Max)：850 mW

• 工作温度(Max)：150 ℃

• 工作温度(Min)：-55 ℃

• 耗散功率(Max)：850 mW

• 安装方式：Surface Mount

• 引脚数：6

• 封装：TSOT-23-6

• 互补金属氧化物半导体场效应晶体管

• 低导通电阻

• 低输入电容

• 快速开关速度

• 完全无铅且完全符合RoHS标准(注释1和2)

• 无卤素和锑。“绿色”装置(注释3)

• 符合AEC-Q101高可靠性标准