AO6601概述
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFETs - 阵列
系列:-
FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:60 毫欧 @ 3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.4A, 2.3A
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:4.34nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :390pF @ 15V
功率 - 最大:1.15W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSOP
包装:剪切带 (CT)
供应商设备封装:*
其它名称:785-1076-1