类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 阵列
系列：-
晶体管类型：2 NPN（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大）：-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：420 @ 2mA, 5V
功率 - 最大：380mW
频率 - 转换：100MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70-6，SC-88，SOT-363
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：SOT-363
其它名称：BC847CDW1T1G-NDBC847CDW1T1GOSTR